參數(shù)資料
型號(hào)： PM50CLA120
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
中文描述： 平性基地型絕緣包裝
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 143K
代理商： PM50CLA120
MITSUBISHI <INTELLIGENT POWER MODULES>
PM50CLA120
FLAT-BASE TYPE
INSULATED PACKAGE
May 2005
f
c
(kHz)
50
40
30
20
10
0
25
0
5
10
15
20
V
D
= 15V
T
j
= 25
°
C
N-side
P-side
C
–
I
C
(
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE V
EC
(V)
DIODE FORWARD CHARACTERISTICS
(INVERTER PART
·
TYPICAL)
10
2
7
5
4
10
0
I
D
VS. f
c
CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
I
D
(
3
2
0
10
1
7
5
4
3
2
0.5
1
1.5
2
2.5
V
D
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
DIODE REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(INVERTER PART
·
TYPICAL)
10
0
7
5
4
COLLECTOR RECOVERY CURRENT
–
I
C
(A)
R
r
(
μ
s
R
r
(
10
–
3
2
10
0
2
3
5
7
10
1
10
–
1
7
5
4
3
2
2
3
5
7
10
2
10
0
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
4
4
t
rr
t
rr
I
rr
t
rr
I
rr
t
rr
I
rr
I
rr
I
rr
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
Inductive load
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(INVERTER PART)
N
T
t
–
10
–
3
10
0
7
5
3
2
10
–
2
7
5
3
2
10
–
1
7
5
3
2
10
–
3
2 3 57
10
–
2
2 3 57
10
–
1
10
–
5
2 3 57
10
–
4
2 3 57
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
TIME
(s)
Single Pulse
IGBT Part;
Per unit base = R
th(j
–
c)Q
= 0.26
°
C/W
FWDi Part;
Per unit base = R
th(j
–
c)F
= 0.39
°
C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PM50CLA120_05 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM50CLB120_05 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM50CTJ060-3 INSULATED PACKAGE FLAT-BASE TYPE
PM50CTK060 FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE
PM50RHA060 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C)
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參數(shù)描述
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