參數(shù)資料
型號： PIC24HJ128GP510-I/PT
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 250/292頁
文件大小： 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 128KB 100TQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： PIC24 Introduction
Graphics LCD System and PIC24 Interface
Asynchronous Stimulus
標準包裝： 119
系列： PIC® 24H
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 16-位
速度： 40 MIP
連通性： CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，DMA，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 85
程序存儲器容量： 128KB（43K x 24）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 8K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 32x10b/12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
包裝： 托盤
產(chǎn)品目錄頁面： 649 (CN2011-ZH PDF)
配用： 876-1004-ND - PIC24 BREAKOUT BOARD
AC164333-ND - MODULE SKT FOR PM3 100QFP
DM300024-ND - KIT DEMO DSPICDEM 1.1
MA240012-ND - MODULE PLUG-IN PIC24H 100QFP
DV164033-ND - KIT START EXPLORER 16 MPLAB ICD2
DM240001-ND - BOARD DEMO PIC24/DSPIC33/PIC32
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PIC24HJXXXGPX06/X08/X10
DS70175H-page 58
2009 Microchip Technology Inc.
5.2
RTSP Operation
The PIC24HJXXXGPX06/X08/X10 Flash program
memory array is organized into rows of 64 instructions
or 192 bytes. RTSP allows the user to erase a page of
memory, which consists of eight rows (512 instructions)
at a time, and to program one row or one word at a
time. Table 24-12 displays typical erase and program-
ming times. The 8-row erase pages and single row
write rows are edge-aligned, from the beginning of pro-
gram memory, on boundaries of 1536 bytes and 192
bytes, respectively.
The program memory implements holding buffers that
can contain 64 instructions of programming data. Prior
to the actual programming operation, the write data
must be loaded into the buffers in sequential order. The
instruction words loaded must always be from a group
of 64 boundary.
The basic sequence for RTSP programming is to set up
a Table Pointer, then do a series of TBLWT instructions
to load the buffers. Programming is performed by set-
ting the control bits in the NVMCON register. A total of
64 TBLWTL and TBLWTH instructions are required to
load the instructions.
All of the table write operations are single-word writes
(two instruction cycles) because only the buffers are
written. A programming cycle is required for
programming each row.
5.3
Programming Operations
A complete programming sequence is necessary for
programming or erasing the internal Flash in RTSP
mode.
The
processor
stalls
(waits)
until
the
programming operation is finished.
The programming time depends on the FRC accuracy
(see Table 24-19) and the value of the FRC Oscillator
Tuning register (see Register 9-4). Use the following
formula to calculate the minimum and maximum values
for the Row Write Time, Page Erase Time and Word
Write Cycle Time parameters (see Table 24-12).
EQUATION 5-1:
PROGRAMMING TIME
For example, if the device is operating at +85°C, the
FRC accuracy will be ±2%. If the TUN<5:0> bits (see
Register 9-4) are set to ‘b111111, the Minimum
Row Write Time is:
and, the Maximum Row Write Time is:
Setting the WR bit (NVMCON<15>) starts the opera-
tion, and the WR bit is automatically cleared when the
operation is finished.
5.4
Control Registers
There are two SFRs used to read and write the
program Flash memory: NVMCON and NVMKEY.
The NVMCON register (Register 5-1) controls which
blocks are to be erased, which memory type is to be
programmed and the start of the programming cycle.
NVMKEY is a write-only register that is used for write
protection. To start a programming or erase sequence,
the user must consecutively write 0x55 and 0xAA to the
NVMKEY register. Refer to Section 5.3 “Programming
Operations” for further details.
T
7.37 MHz
FRC Accuracy
()%
FRC Tuning
()%
×
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
TRW
11064 Cycles
7.37 MHz
10.02
+
()
1 0.00375
–
()
×
---------------------------------------------------------------------------------------------- 1.48ms
=
TRW
11064 Cycles
7.37 MHz
10.02
–
()
1 0.00375
–
()
×
---------------------------------------------------------------------------------------------- 1.54ms
=
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