參數(shù)資料
型號: PIC18LF6585-I/PT
廠商: Microchip Technology
文件頁數(shù): 97/424頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC PIC MCU FLASH 24KX16 64TQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 160
系列: PIC® 18F
核心處理器: PIC
芯體尺寸: 8-位
速度: 40MHz
連通性: CAN,I²C,SPI,UART/USART
外圍設(shè)備: 欠壓檢測/復(fù)位,LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 52
程序存儲器容量: 48KB(24K x 16)
程序存儲器類型: 閃存
EEPROM 大?。?/td> 1K x 8
RAM 容量: 3.25K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 12x10b
振蕩器型: 外部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 64-TQFP
包裝: 托盤
產(chǎn)品目錄頁面: 646 (CN2011-ZH PDF)
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁當(dāng)前第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁第313頁第314頁第315頁第316頁第317頁第318頁第319頁第320頁第321頁第322頁第323頁第324頁第325頁第326頁第327頁第328頁第329頁第330頁第331頁第332頁第333頁第334頁第335頁第336頁第337頁第338頁第339頁第340頁第341頁第342頁第343頁第344頁第345頁第346頁第347頁第348頁第349頁第350頁第351頁第352頁第353頁第354頁第355頁第356頁第357頁第358頁第359頁第360頁第361頁第362頁第363頁第364頁第365頁第366頁第367頁第368頁第369頁第370頁第371頁第372頁第373頁第374頁第375頁第376頁第377頁第378頁第379頁第380頁第381頁第382頁第383頁第384頁第385頁第386頁第387頁第388頁第389頁第390頁第391頁第392頁第393頁第394頁第395頁第396頁第397頁第398頁第399頁第400頁第401頁第402頁第403頁第404頁第405頁第406頁第407頁第408頁第409頁第410頁第411頁第412頁第413頁第414頁第415頁第416頁第417頁第418頁第419頁第420頁第421頁第422頁第423頁第424頁
PIC18F6585/8585/6680/8680
DS30491C-page 184
2004 Microchip Technology Inc.
16.2.6
PROGRAMMABLE
DEAD-BAND DELAY
In half-bridge applications where all power switches are
modulated at the PWM frequency at all times, the
power switches normally require more time to turn off
than to turn on. If both the upper and lower power
switches are switched at the same time (one turned on
and the other turned off), both switches may be on for
a short period of time until one switch completely turns
off. During this brief interval, a very high current (shoot-
through current) may flow through both power
switches, shorting the bridge supply. To avoid this
potentially destructive shoot-through current from flow-
ing during switching, turning on either of the power
switches is normally delayed to allow the other switch
to completely turn off.
In the Half-Bridge Output mode, a digitally pro-
grammable dead-band delay is available to avoid
shoot-through current from destroying the bridge
power switches. The delay occurs at the signal
transition from the non-active state to the active state.
See Figure 16-5 for an illustration. The lower seven bits
of the ECCP1DEL register (Register 16-2) set the
delay period in terms of microcontroller instruction
cycles (TCY or 4 TOSC).
16.2.7
ENHANCED PWM
AUTO-SHUTDOWN
When the CCP1 is programmed for any of the
enhanced PWM modes, the active output pins may be
configured for auto-shutdown. Auto-shutdown immedi-
ately places the enhanced PWM output pins into a
defined shutdown state when a shutdown event
occurs.
A shutdown event can be caused by either of the two
comparator modules or a low level on the RB0 pin (or
any combination of these three sources). The compar-
ators may be used to monitor a voltage input propor-
tional to a current being monitored in the bridge circuit.
If the voltage exceeds a threshold, the comparator
switches state and triggers a shutdown. Alternatively, a
low digital signal on the RB0 pin can also trigger a
shutdown. The auto-shutdown feature can be disabled
by not selecting any auto-shutdown sources. The
auto-shutdown sources to be used are selected using
the ECCPAS2:ECCPAS0 bits (bits <6:4> of the
ECCP1AS register).
When a shutdown occurs, the output pins are asyn-
chronously placed in their shutdown states, specified
by the PSSAC1:PSSAC0 and PSSBD1:PSSBD0 bits
(ECCP1AS<3:0>). Each pin pair (P1A/P1C and P1B/
P1D) may be set to drive high, drive low, or be tri-stated
(not driving). The ECCPASE bit (ECCP1AS<7>) is also
set to hold the enhanced PWM outputs in their
shutdown states.
The ECCPASE bit is set by hardware when a shutdown
event occurs. If automatic restarts are not enabled, the
ECCPASE bit is cleared by firmware when the cause of
the shutdown clears. If automatic restarts are enabled,
the ECCPASE bit is automatically cleared when the
cause of the auto-shutdown has cleared.
If the ECCPASE bit is set when a PWM period begins,
the PWM outputs remain in their shutdown state for that
entire PWM period. When the ECCPASE bit is cleared,
the PWM outputs will return to normal operation at the
beginning of the next PWM period.
REGISTER 16-2:
ECCP1DEL: ECCP1 DELAY REGISTER
Note:
Writing to the ECCPASE bit is disabled
while a shutdown condition is active.
R/W-0
PRSEN
PDC6
PDC5
PDC4
PDC3
PDC2
PDC1
PDC0
bit 7
bit 0
bit 7
PRSEN: PWM Restart Enable bit
1
= Upon auto-shutdown, the ECCPASE bit clears automatically once the shutdown event
goes away; the PWM restarts automatically
0
= Upon auto-shutdown, ECCPASE must be cleared in software to restart the PWM
bit 6-0
PDC<6:0>: PWM Delay Count bits
Number of FOSC/4 (4 * TOSC) cycles between the scheduled time when a PWM signal should
transition active and the actual time it transitions active.
Legend:
R = Readable bit
W = Writable bit
U = Unimplemented bit, read as ‘0’
- n = Value at POR
‘1’ = Bit is set
‘0’ = Bit is cleared
x = Bit is unknown
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PIC18LF6621-I/PT IC PIC MCU FLASH 32KX16 64TQFP
PIC18F8621-I/PT IC PIC MCU FLASH 32KX16 80TQFP
204861-2 RETAINER PLATE
207235-1 CONN JACKSCREW LONG-LONG FEMALE
C8051F046 IC 8051 MCU 32K FLASH 100TQFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PIC18LF6585T-I/L 功能描述:8位微控制器 -MCU 48KB 3328 RAM 52I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF6585T-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 48KB 3328 RAM 52I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF65K80-I/MR 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB FL 4KBRM 16MIPS 12bit ADC CTMU XLP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF65K80-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB FL 4KBRM 16MIPS 12bit ADC CTMU XLP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18LF65K80T-I/MR 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB FL 4KBRM 16MIPS 12bit ADC CTMU XLP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT