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參數(shù)資料
| 型號： | PIC18F458EPTQTP |
| 廠商： | Microchip Technology Inc. |
| 英文描述： | High Performance, 28/40-Pin Enhanced FLASH Microcontrollers with CAN |
| 中文描述： | 高性能，28/40-Pin增強型閃存微控制器和CAN |
| 文件頁數(shù)： | 63/384頁 |
| 文件大小： | 3119K |
| 代理商： | PIC18F458EPTQTP |
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2002 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS41159B-page 61
PIC18FXX8
5.3
Reading the Data EEPROM
Memory
To read a data memory location, the user must write the
address to the EEADR register, clear the EEPGD and
CFGS control bits (EECON1<7:6>) and then set con-
trol bit RD (EECON1<0>). The data is available in the
very next instruction cycle of the EEDATA register;
therefore, it can be read by the next instruction.
EEDATA will hold this value until another read opera-
tion, or until it is written to by the user (during a write
operation).
EXAMPLE 5-1:
MOVLW
MOVWF
DATA EEPROM READ
DATA_EE_ADDR
;
EEADR
;Data Memory Address
;to read
EECON1, EEPGD
;Point to DATA memory
EECON1, CFGS
;
EECON1, RD
;EEPROM Read
EEDATA, W
;W = EEDATA
5.4
Writing to the Data EEPROM
Memory
To write an EEPROM data location, the address must
first be written to the EEADR register and the data writ-
ten to the EEDATA register. Then, the sequence in
Example 5-2 must be followed to initiate the write cycle.
The write will not initiate if the above sequence is not
exactly followed (write 55h to EECON2, write 0AAh to
EECON2, then set WR bit) for each byte. It is strongly
recommended that interrupts be disabled during this
code segment.
Additionally, the WREN bit in EECON1 must be set to
enable writes. This mechanism prevents accidental
writes to data EEPROM due to unexpected code exe-
cution (i.e., runaway programs). The WREN bit should
be kept clear at all times, except when updating the
EEPROM. The WREN bit is not cleared by hardware.
After a write sequence has been initiated, clearing the
WREN bit will not affect the current write cycle. The WR
bit will be inhibited from being set unless the WREN bit
is set. The WREN bit must be set on a previous instruc-
tion. Both WR and WREN cannot be set with the same
instruction.
At the completion of the write cycle, the WR bit is
cleared in hardware and the EEPROM Write Complete
Interrupt Flag bit (EEIF) is set. The user may either
enable this interrupt, or roll this bit. EEIF must be
cleared by software.
EXAMPLE 5-2:
DATA EEPROM WRITE
BCF
BCS
BSF
MOVF
MOVLW
MOVWF
MOVLW
MOVWF
BCF
BCS
BSF
DATA_EE_ADDR
EEADR
DATA_EE_DATA
EEDATA
EECON1, EEPGD
EECON1, CFGS
EECON1, WREN
;
; Data Memory Address to write
;
; Data Memory Value to write
; Point to DATA memory
;
; Enable writes
BCF
MOVLW
MOVWF
MOVLW
MOVWF
BSF
BSF
INTCON, GIE
55h
EECON2
0AAh
EECON2
EECON1, WR
INTCON, GIE
; Disable Interrupts
;
; Write 55h
;
; Write 0AAh
; Set WR bit to begin write
; Enable Interrupts
Required
Sequence
; User code execution
; Disable writes
BCF
EECON1, WREN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PIC18F458EPTSQTP | High Performance, 28/40-Pin Enhanced FLASH Microcontrollers with CAN |
| PIC18F458ESOQTP | High Performance, 28/40-Pin Enhanced FLASH Microcontrollers with CAN |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PIC18F458-I/L | 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536 RAM 34 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| PIC18F458-I/L | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC 8BIT FLASH MCU CAN ADC 18F458 |
| PIC18F458-I/P | 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536 RAM 34 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
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| PIC18F458-I/PT | 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536 RAM 34 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
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