參數(shù)資料
型號(hào): PIC18F458-I/P
廠商: Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù): 87/116頁(yè)
文件大小: 0K
描述: IC MCU FLASH 16KX16 CAN 40DIP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: Asynchronous Stimulus
8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 10
系列: PIC® 18F
核心處理器: PIC
芯體尺寸: 8-位
速度: 40MHz
連通性: CAN,I²C,SPI,UART/USART
外圍設(shè)備: 欠壓檢測(cè)/復(fù)位,LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 33
程序存儲(chǔ)器容量: 32KB(16K x 16)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量: 1.5K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 4.2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 8x10b
振蕩器型: 外部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 40-DIP(0.600",15.24mm)
包裝: 管件
配用: 444-1001-ND - DEMO BOARD FOR PICMICRO MCU
其它名稱: PIC18F458I/P
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PIC18FXX8
DS41159E-page 70
2006 Microchip Technology Inc.
6.4
Erasing Flash Program Memory
The minimum erase block is 32 words or 64 bytes. Only
through the use of an external programmer, or through
ICSP control, can larger blocks of program memory be
bulk erased. Word erase in the Flash array is not
supported.
When initiating an erase sequence from the micro-
controller itself, a block of 64 bytes of program memory
is erased. The Most Significant 16 bits of the
TBLPTR<21:6> point to the block being erased.
TBLPTR<5:0> are ignored.
The EECON1 register commands the erase operation.
The EEPGD bit must be set to point to the Flash
program memory. The WREN bit must be set to enable
write operations. The FREE bit is set to select an erase
operation.
For protection, the write initiate sequence for EECON2
must be used.
A long write is necessary for erasing the internal Flash.
Instruction execution is halted while in a long write
cycle. The long write will be terminated by the internal
programming timer.
6.4.1
FLASH PROGRAM MEMORY
ERASE SEQUENCE
The sequence of events for erasing a block of internal
program memory location is:
1.
Load Table Pointer with address of row being
erased.
2.
Set the EECON1 register for the erase operation:
set the EEPGD bit to point to program memory;
clear the CFGS bit to access program memory;
set the WREN bit to enable writes;
set the FREE bit to enable the erase.
3.
Disable interrupts.
4.
Write 55h to EECON2.
5.
Write 0AAh to EECON2.
6.
Set the WR bit. This will begin the row erase
cycle.
7.
The CPU will stall for duration of the erase
(about 2 ms using internal timer).
8.
Re-enable interrupts.
EXAMPLE 6-2:
ERASING A FLASH PROGRAM MEMORY ROW
MOVLW
upper (CODE_ADDR)
; load TBLPTR with the base
MOVWF
TBLPTRU
; address of the memory block
MOVLW
high (CODE_ADDR)
MOVWF
TBLPTRH
MOVLW
low (CODE_ADDR)
MOVWF
TBLPTRL
ERASE_ROW
BSF
EECON1, EEPGD
; point to FLASH program memory
BCF
EECON1, CFGS
; access FLASH program memory
BSF
EECON1, WREN
; enable write to memory
BSF
EECON1, FREE
; enable Row Erase operation
BCF
INTCON, GIE
; disable interrupts
MOVLW
55h
MOVWF
EECON2
; write 55H
Required
MOVLW
0AAh
Sequence
MOVWF
EECON2
; write 0AAH
BSF
EECON1, WR
; start erase (CPU stall)
NOP
; NOP needed for proper code execution
BSF
INTCON, GIE
; re-enable interrupts
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PDF描述
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PIC18F458T-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536 RAM 34 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18F458T-I/PTG 功能描述:8位微控制器 -MCU 32KB 1536 RAM 34 I/O Lead Free Package RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18F45J10-E/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 32 KB Flash 1 KB RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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