參數(shù)資料
型號： PIC18F1230T-I/ML
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 296/318頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC PIC MCU FLASH 2KX16 28QFN
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Asynchronous Stimulus
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,600
系列： PIC® 18F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 16
程序存儲器容量： 4KB（2K x 16）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 128 x 8
RAM 容量： 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 4.2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 4x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-VQFN 裸露焊盤
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： PIC18F1230T-I/MLTR
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PIC18F1230/1330
2009 Microchip Technology Inc.
DS39758D-page 79
EXAMPLE 7-3:
WRITING TO FLASH PROGRAM MEMORY (CONTINUED)
7.5.2
WRITE VERIFY
Depending on the application, good programming
practice may dictate that the value written to the
memory should be verified against the original value.
This should be used in applications where excessive
writes can stress bits near the specification limit.
7.5.3
UNEXPECTED TERMINATION OF
WRITE OPERATION
If a write is terminated by an unplanned event, such as
loss of power or an unexpected Reset, the memory
location just programmed should be verified and
reprogrammed, if needed. If the write operation is
interrupted by a MCLR Reset or a WDT Time-out Reset
during normal operation, the user can check the
WRERR bit and rewrite the location(s) as needed.
7.5.4
PROTECTION AGAINST
SPURIOUS WRITES
To protect against spurious writes to Flash program
memory, the write initiate sequence must also be
for more detail.
7.6
Flash Program Operation During
Code Protection
for details on code protection of Flash
program memory.
TABLE 7-2:
REGISTERS ASSOCIATED WITH PROGRAM FLASH MEMORY
PROGRAM_MEMORY
BSF
EECON1, EEPGD
; point to Flash program memory
BCF
EECON1, CFGS
; access Flash program memory
BSF
EECON1, WREN
; enable write to memory
BCF
INTCON, GIE
; disable interrupts
MOVLW
55h
Required
MOVWF
EECON2
; write 55h
Sequence
MOVLW
0AAh
MOVWF
EECON2
; write 0AAh
BSF
EECON1, WR
; start program (CPU stall)
BSF
INTCON, GIE
; re-enable interrupts
BCF
EECON1, WREN
; disable write to memory
Name
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
Reset
Values on
Page:
TBLPTRU
—
bit 21
Program Memory Table Pointer Upper Byte (TBLPTR<20:16>)
TBPLTRH
Program Memory Table Pointer High Byte (TBLPTR<15:8>)
TBLPTRL
Program Memory Table Pointer Low Byte (TBLPTR<7:0>)
TABLAT
Program Memory Table Latch
INTCON
GIE/GIEH
PEIE/GIEL TMR0IE
INT0IE
RBIE
TMR0IF
INT0IF
RBIF
EECON2
EEPROM Control Register 2 (not a physical register)
EECON1
EEPGD
CFGS
—
FREE
WRERR
WREN
WR
RD
IPR2
OSCFIP
—
—EEIP
—
LVDIP
—
PIR2
OSCFIF
—
—EEIF
—
LVDIF
—
PIE2
OSCFIE
—
—EEIE
—
LVDIE
—
Legend:
— = unimplemented, read as ‘0’. Shaded cells are not used during Flash/EEPROM access.
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PDF描述
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PIC18F1320-E/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB 256 RAM 16 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18F1320-E/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB 256 RAM 16 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18F1320-E/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU 8KB 256 RAM 16 I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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