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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PIC18C858T-I/L |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 109/246頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU OTP 16KX16 CAN 84PLCC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 300 |
| 系列： | PIC® 18C |
| 核心處理器： | PIC |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 連通性： | CAN，I²C，SPI，UART/USART |
| 外圍設(shè)備： | 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 68 |
| 程序存儲(chǔ)器容量： | 32KB（16K x 16） |
| 程序存儲(chǔ)器類型： | OTP |
| RAM 容量： | 1.5K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 4.2 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 16x10b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 84-LCC（J 形引線） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 配用： | AC164310-ND - MODULE SKT FOR PM3 84PLCC DVA18XL840-ND - ADAPTER DEVICE ICE 84PLCC AC174012-ND - MODULE SKT PROMATEII 84PLCC |
| 其它名稱： | PIC18C858TI/L |
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197
9157C–AVR–03/12
Atmel ATtiny88 Automotive
20.7.2
Considerations for Efficient Programming
The loaded command and address are retained in the device during programming. For efficient
programming, the following should be considered.
The command needs only be loaded once when writing or reading multiple memory
locations.
Skip writing the data value 0xFF, that is the contents of the entire EEPROM (unless the
EESAVE Fuse is programmed) and Flash after a Chip Erase.
Address high byte needs only be loaded before programming or reading a new 256 word
window in Flash or 256 byte EEPROM. This consideration also applies to Signature bytes
reading.
20.7.3
Chip Erase
The Chip Erase will erase the Flash and EEPROM(Note:) memories plus Lock bits. The Lock bits
are not reset until the program memory has been completely erased. The Fuse bits are not
changed. A Chip Erase must be perfor med before the Flash and/or EEPROM are
reprogrammed.
Note:
The EEPROM memory is preserved during Chip Erase if the EESAVE Fuse is programmed.
Load Command “Chip Erase”:
1.
Set XA1, XA0 to “10”. This enables command loading.
2.
Set BS1 to “0”.
3.
Set DATA to “1000 0000”. This is the command for Chip Erase.
4.
Give CLKI a positive pulse. This loads the command.
5.
Give WR a negative pulse. This starts the Chip Erase. RDY/BSY goes low.
6.
Wait until RDY/BSY goes high before loading a new command.
20.7.4
Programming the Flash
The Flash is organized in pages, see Table 20-7 on page 194. When programming the Flash,
the program data is latched into a page buffer. This allows one page of program data to be pro-
grammed simultaneously. The following procedure describes how to program the entire Flash
memory:
A. Load Command “Write Flash”
1.
Set XA1, XA0 to “10”. This enables command loading.
2.
Set BS1 to “0”.
3.
Set DATA to “0001 0000”. This is the command for Write Flash.
4.
Give CLKI a positive pulse. This loads the command.
B. Load Address Low byte
1.
Set XA1, XA0 to “00”. This enables address loading.
2.
Set BS1 to “0”. This selects low address.
3.
Set DATA = Address low byte (0x00 – 0xFF).
4.
Give CLKI a positive pulse. This loads the address low byte.
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