參數(shù)資料
型號: PIC18C442-E/P
廠商: Microchip Technology
文件頁數(shù): 71/279頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC MCU OTP 8KX16 A/D 40DIP
標準包裝: 10
系列: PIC® 18C
核心處理器: PIC
芯體尺寸: 8-位
速度: 40MHz
連通性: I²C,SPI,UART/USART
外圍設備: 欠壓檢測/復位,LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 33
程序存儲器容量: 16KB(8K x 16)
程序存儲器類型: OTP
RAM 容量: 512 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 4.2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉換器: A/D 8x10b
振蕩器型: 外部
工作溫度: -40°C ~ 125°C
封裝/外殼: 40-DIP(0.600",15.24mm)
包裝: 管件
其它名稱: PIC18C442E/P
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178
8197C–AVR–05/11
ATtiny261A/461A/861A
18.7.2
Entering Programming Mode
The following algorithm puts the device in parallel programming mode:
1.
Apply 4.5 - 5.5V between V
CC and GND.
2.
Set RESET to “0” and toggle XTAL1 at least six times.
3.
Set Prog_enable pins listed in Table 18-13 on page 177 to “0000” and wait at least 100
ns.
4.
Apply 11.5 - 12.5V to RESET. Any activity on Prog_enable pins within 100 ns after
+12V has been applied to RESET, will cause the device to fail entering programming
mode.
5.
Wait at least 50 s before sending a new command.
18.7.3
Considerations for Efficient Programming
The loaded command and address are retained in the device during programming. For efficient
programming, the following should be considered:
The command needs only be loaded once when writing or reading multiple memory
locations.
Skip writing the data value 0xFF, that is the contents of the entire EEPROM (unless the
EESAVE Fuse is programmed) and Flash after a Chip Erase.
Address high byte needs only be loaded before programming or reading a new 256 word
window in Flash or 256 byte EEPROM. This consideration also applies to Signature bytes
reading.
18.7.4
Chip Erase
The Chip Erase will erase the Flash and EEPROM memories plus lock bits. The Lock bits are
not reset until the program memory has been completely erased. The Fuse bits are not
changed. A Chip Erase must be perfor med before the Flash and/or EEPROM are
reprogrammed.
1.
Load Command “Chip Erase”:
a.
Set XA1, XA0 to “10”. This enables command loading.
b.
Set BS1 to “0”.
c.
Set DATA to “1000 0000”. This is the command for Chip Erase.
d.
Give XTAL1 a positive pulse. This loads the command.
e.
Give WR a negative pulse. This starts the Chip Erase. RDY/BSY goes low.
f.
Wait until RDY/BSY goes high before loading a new command.
Note:
The EEPROM memory is preserved during Chip Erase if the EESAVE Fuse is programmed.
18.7.5
Programming the Flash
The Flash is organized in pages, see Table 18-7 on page 171. When programming the Flash,
the program data is latched into a page buffer. This allows one page of program data to be pro-
grammed simultaneously. The following procedure describes how to program the entire Flash
memory (see Figure 18-5 for signal waveforms):
相關PDF資料
PDF描述
PIC16F874-04E/L IC MCU FLASH 4KX14 EE 44PLCC
PIC16F874-10E/L IC MCU FLASH 4KX14 EE 44PLCC
PIC18C452-E/L IC MCU OTP 16KX16 A/D 44PLCC
PIC18C442-E/L IC MCU OTP 8KX16 A/D 44PLCC
PIC16C773-E/SO IC MCU OTP 4KX14 A/D PWM 28SOIC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PIC18C442-I/L 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 512 RAM 34I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18C442-I/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 512 RAM 34I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18C442-I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC 8BIT CMOS MCU 18C442 DIP40
PIC18C442-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 512 RAM 34I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18C442T-E/L 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 512 RAM 34I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT