參數(shù)資料
型號(hào)： PIC18C442-E/L
廠(chǎng)商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 66/279頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU OTP 8KX16 A/D 44PLCC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 27
系列： PIC® 18C
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： I²C，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 33
程序存儲(chǔ)器容量： 16KB（8K x 16）
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： OTP
RAM 容量： 512 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 4.2 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 44-LCC（J 形引線(xiàn)）
包裝： 管件
其它名稱(chēng)： PIC18C442E/L
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173
8197C–AVR–05/11
ATtiny261A/461A/861A
before issuing the next page. (See Table 18-10.) Accessing the serial programming
interface before the Flash write operation completes can result in incorrect
programming.
5.
A: The EEPROM array is programmed one byte at a time by supplying the address and
data together with the appropriate Write instruction. An EEPROM memory location is
first automatically erased before new data is written. If polling (RDY/BSY) is not used,
the user must wait at least t
WD_EEPROM before issuing the next byte. (See Table 18-10.)
In a chip erased device, no 0xFFs in the data file(s) need to be programmed.
B: The EEPROM array is programmed one page at a time. The Memory page is loaded
one byte at a time by supplying the 2 LSB of the address and data together with the
Load EEPROM Memory Page instruction. The EEPROM Memory Page is stored by
loading the Write EEPROM Memory Page Instruction with the 6 MSB of the address.
When using EEPROM page access only byte locations loaded with the Load EEPROM
Memory Page instruction is altered. The remaining locations remain unchanged. If poll-
ing (RDY/BSY) is not used, the used must wait at least t
WD_EEPROM before issuing the
next page (See Table 18-8). In a chip erased device, no 0xFF in the data file(s) need to
be programmed.
6.
Any memory location can be verified by using the Read instruction which returns the
content at the selected address at serial output MISO.
7.
At the end of the programming session, RESET can be set high to commence normal
operation.
8.
Power-off sequence (if needed):
Set RESET to “1”.
Turn V
CC power off.
18.6.2
Serial Programming Instruction set
The instruction set is described in Table 18-11 and Figure 18-2 on page 175.
Table 18-10. Minimum Wait Delay Before Writing the Next Flash or EEPROM Location
Symbol
Minimum Wait Delay
t
WD_FLASH
4.5 ms
tWD_EEPROM
4.0 ms
t
WD_ERASE
9.0 ms
t
WD_FUSE
4.5 ms
Table 18-11. Serial Programming Instruction Set
Instruction/Operation
Instruction Format
Byte 1
Byte 2
Byte 3
Byte4
Programming Enable
$AC
$53
$00
Chip Erase (Program Memory/EEPROM)
$AC
$80
$00
Poll RDY/BSY
$F0
$00
data byte out
Load Instructions
Load Extended Address byte(1)
$4D
$00
Extended adr
$00
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PIC18C442-I/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 512 RAM 34I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18C442-I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC 8BIT CMOS MCU 18C442 DIP40
PIC18C442-I/PT 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 512 RAM 34I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC18C442T-E/L 功能描述:8位微控制器 -MCU 16KB 512 RAM 34I/O RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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