參數(shù)資料
型號(hào)： PIC16LF1933-I/MV
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 9/295頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8BIT 7KB FLASH 28UQFN
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 91
系列： PIC® XLP™ 16F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 32MHz
連通性： I²C，LIN，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，LCD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 25
程序存儲(chǔ)器容量： 7KB（4K x 14）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 256 x 8
RAM 容量： 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 11x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-UFQFN 裸露焊盤
包裝： 管件
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PIC16(L)F1933
DS41575B-page 104
Preliminary
2011-2012 Microchip Technology Inc.
11.3
Flash Program Memory Overview
It is important to understand the Flash program
memory structure for erase and programming
operations. Flash Program memory is arranged in
rows. A row consists of a fixed number of 14-bit
program memory words. A row is the minimum block
size that can be erased by user software.
Flash program memory may only be written or erased
if the destination address is in a segment of memory
that is not write-protected, as defined in bits WRT<1:0>
of Configuration Words.
After a row has been erased, the user can reprogram
all or a portion of this row. Data to be written into the
program memory row is written to 14-bit wide data write
latches. These write latches are not directly accessible
to the user, but may be loaded via sequential writes to
the EEDATH:EEDATL register pair.
The number of data write latches may not be equivalent
to the number of row locations. During programming,
user software may need to fill the set of write latches
and initiate a programming operation multiple times in
order to fully reprogram an erased row. For example, a
device with a row size of 32 words and eight write
latches will need to load the write latches with data and
initiate a programming operation four times.
The size of a program memory row and the number of
program memory write latches may vary by device.
See Table 11-1 for details.
11.3.1
READING THE FLASH PROGRAM
MEMORY
To read a program memory location, the user must:
1.
Write the Least and Most Significant address
bits to the EEADRH:EEADRL register pair.
2.
Clear the CFGS bit of the EECON1 register.
3.
Set the EEPGD control bit of the EECON1
register.
4.
Then, set control bit RD of the EECON1 register.
Once the read control bit is set, the program memory
Flash controller will use the second instruction cycle to
read the data. This causes the second instruction
immediately following the “BSF EECON1,RD” instruction
to be ignored. The data is available in the very next cycle,
in the EEDATH:EEDATL register pair; therefore, it can
be read as two bytes in the following instructions.
EEDATH:EEDATL register pair will hold this value until
another read or until it is written to by the user.
Note:
If the user wants to modify only a portion
of a previously programmed row, then the
contents of the entire row must be read
and saved in RAM prior to the erase.
Note 1: The two instructions following a program
memory read are required to be NOPs.
This prevents the user from executing a
two-cycle
instruction
on
the
next
instruction after the RD bit is set.
2: Flash program memory can be read
regardless of the setting of the CP bit.
TABLE 11-1:
FLASH MEMORY ORGANIZATION BY DEVICE
Device
Erase Block (Row) Size/Boundary
Number of Write Latches/Boundary
PIC16(L)F1933
32 words, EEADRL<4:0> = 00000
8 words, EEADRL<2:0> = 000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PIC16LF1936-I/MV IC MCU 8BIT 14KB FLASH 28UQFN
PIC16LF1937-E/MV IC PIC MCU FLASH 512KX14 40UQFN
PIC16LF1939-I/P IC MCU 8BIT FLASH 40-DIP
PIC16LF1946T-I/MR MCU 8BIT 14KB FLASH 64QFN
PIC16LF1947T-I/MR MCU 8BIT 28KB FLASH 64QFN
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參數(shù)描述
PIC16LF1933T-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC16LF1933T-I/MV 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB FL 256BRAM 256B EE LCD nanoWatt XLP RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC16LF1933T-I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC16LF1933T-I/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash 1.8-5.5V 256B RAM 256B EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
PIC16LF1934-E/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 7KB Flash, 256B RAM 256B EE LCD 1.8-5.5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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