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    參數(shù)資料
    型號: PIC16F874T-04E/PT
    廠商: Microchip Technology
    文件頁數(shù): 160/218頁
    文件大?。?/td> 0K
    描述: IC MCU FLASH 4KX14 EE 44TQFP
    標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1,200
    系列: PIC® 16F
    核心處理器: PIC
    芯體尺寸: 8-位
    速度: 4MHz
    連通性: I²C,SPI,UART/USART
    外圍設(shè)備: 欠壓檢測/復(fù)位,POR,PWM,WDT
    輸入/輸出數(shù): 33
    程序存儲器容量: 7KB(4K x 14)
    程序存儲器類型: 閃存
    EEPROM 大?。?/td> 128 x 8
    RAM 容量: 192 x 8
    電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 4 V ~ 5.5 V
    數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 8x10b
    振蕩器型: 外部
    工作溫度: -40°C ~ 125°C
    封裝/外殼: 44-TQFP
    包裝: 帶卷 (TR)
    其它名稱: PIC16F874T04E/PT
    第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁當(dāng)前第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁
    PIC16F87X
    DS30292C-page 44
    2001 Microchip Technology Inc.
    4.4
    Reading the FLASH Program
    Memory
    Reading FLASH program memory is much like that of
    EEPROM data memory, only two NOP instructions must
    be inserted after the RD bit is set. These two instruction
    cycles that the NOP instructions execute, will be used
    by the microcontroller to read the data out of program
    memory
    and
    insert
    the
    value
    into
    the
    EEDATH:EEDATA registers. Data will be available fol-
    lowing the second NOP instruction. EEDATH and
    EEDATA will hold their value until another read opera-
    tion is initiated, or until they are written by firmware.
    The steps to reading the FLASH program memory are:
    1.
    Write the address to EEADRH:EEADR. Make
    sure that the address is not larger than the mem-
    ory size of the PIC16F87X device.
    2.
    Set the EEPGD bit to point to FLASH program
    memory.
    3.
    Set the RD bit to start the read operation.
    4.
    Execute two NOP instructions to allow the micro-
    controller to read out of program memory.
    5.
    Read the data from the EEDATH:EEDATA
    registers.
    EXAMPLE 4-3:
    FLASH PROGRAM READ
    4.5
    Writing to the FLASH Program
    Memory
    Writing to FLASH program memory is unique, in that
    the microcontroller does not execute instructions while
    programming is taking place. The oscillator continues
    to run and all peripherals continue to operate and
    queue interrupts, if enabled. Once the write operation
    completes (specification D133), the processor begins
    executing code from where it left off. The other impor-
    tant difference when writing to FLASH program mem-
    ory, is that the WRT configuration bit, when clear,
    prevents any writes to program memory (see Table 4-1).
    Just like EEPROM data memory, there are many steps
    in writing to the FLASH program memory. Both address
    and data values must be written to the SFRs. The
    EEPGD bit must be set, and the WREN bit must be set
    to enable writes. The WREN bit should be kept clear at
    all times, except when writing to the FLASH Program
    memory. The WR bit can only be set if the WREN bit
    was set in a previous operation, i.e., they both cannot
    be set in the same operation. The WREN bit should
    then be cleared by firmware after the write. Clearing the
    WREN bit before the write actually completes will not
    terminate the write in progress.
    Writes to program memory must also be prefaced with
    a special sequence of instructions that prevent inad-
    vertent write operations. This is a sequence of five
    instructions that must be executed without interruption
    for each byte written. These instructions must then be
    followed by two NOP instructions to allow the microcon-
    troller to setup for the write operation. Once the write is
    complete, the execution of instructions starts with the
    instruction after the second NOP.
    The steps to write to program memory are:
    1.
    Write the address to EEADRH:EEADR. Make
    sure that the address is not larger than the mem-
    ory size of the PIC16F87X device.
    2.
    Write the 14-bit data value to be programmed in
    the EEDATH:EEDATA registers.
    3.
    Set the EEPGD bit to point to FLASH program
    memory.
    4.
    Set the WREN bit to enable program operations.
    5.
    Disable interrupts (if enabled).
    6.
    Execute the special five instruction sequence:
    Write 55h to EECON2 in two steps (first to W,
    then to EECON2)
    Write AAh to EECON2 in two steps (first to W,
    then to EECON2)
    Set the WR bit
    7.
    Execute two NOP instructions to allow the micro-
    controller to setup for write operation.
    8.
    Enable interrupts (if using interrupts).
    9.
    Clear the WREN bit to disable program
    operations.
    BSF
    STATUS, RP1
    ;
    BCF
    STATUS, RP0
    ;Bank 2
    MOVF
    ADDRL, W
    ;Write the
    MOVWF
    EEADR
    ;address bytes
    MOVF
    ADDRH,W
    ;for the desired
    MOVWF
    EEADRH
    ;address to read
    BSF
    STATUS, RP0
    ;Bank 3
    BSF
    EECON1, EEPGD ;Point to Program memory
    BSF
    EECON1, RD
    ;Start read operation
    NOP
    ;Required two NOPs
    NOP
    ;
    BCF
    STATUS, RP0
    ;Bank 2
    MOVF
    EEDATA, W
    ;DATAL = EEDATA
    MOVWF
    DATAL
    ;
    MOVF
    EEDATH,W
    ;DATAH = EEDATH
    MOVWF
    DATAH
    ;
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