SLOW V
參數(shù)資料
型號(hào)： PIC16F627T-04E/SO
廠商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 5/170頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU FLASH 1KX14 18-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,100
系列： PIC® 16F
核心處理器： PIC
芯體尺寸： 8-位
速度： 4MHz
連通性： UART/USART
外圍設(shè)備： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 16
程序存儲(chǔ)器容量： 1.75KB（1K x 14）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
EEPROM 大小： 128 x 8
RAM 容量： 224 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 18-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
包裝： 帶卷 (TR)
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PIC16F62X
DS40300C-page 100
Preliminary
2003 Microchip Technology Inc.
FIGURE 14-11:
EXTERNAL POWER-ON
RESET CIRCUIT (FOR
SLOW VDD POWER-UP)
FIGURE 14-12:
EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 1
FIGURE 14-13:
EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 2
Note
1: External Power-on Reset circuit is required
only if V
DD power-up slope is too slow. The
diode D helps discharge the capacitor
quickly when V
DD powers down.
2: R < 40 k
is recommended to make sure
that voltage drop across R does not violate
the device’s electrical specification.
3: R1 = 100
to 1 k will limit any current
flowing into MCLR from external capacitor
C in the event of MCLR/V
PP pin breakdown
due to Electrostatic Discharge (ESD) or
Electrical Overstress (EOS).
C
R1
R
D
V
DD
MCLR
PIC16F62X
V
DD
Note
1: This circuit will activate RESET when V
DD
goes below (Vz + 0.7V) where Vz = Zener
voltage.
2: Internal Brown-out Detect Reset circuitry
should be disabled when using this circuit.
V
DD
33k
10k
40k
V
DD
MCLR
PIC16F62X
Vdd x
R1
R1 + R2
= 0.7 V
V
DD
R2
40k
V
DD
MCLR
PIC16F62X
R1
Q1
Note
1:
This Brown-out Circuit is less expensive, albeit
less accurate. Transistor Q1 turns off when V
DD is
below a certain level such that:
2:
Internal Brown-out Detect Reset should be
disabled when using this circuit.
3:
Resistors should be adjusted for the
characteristics of the transistor.
V
DD x
R1
R1 + R2
= 0.7V
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PDF描述
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