參數(shù)資料
    型號: PIC16C54C-04E/P
    廠商: Microchip Technology
    文件頁數(shù): 175/194頁
    文件大?。?/td> 0K
    描述: IC MCU OTP 512X12 18DIP
    產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: Asynchronous Stimulus
    標(biāo)準(zhǔn)包裝: 25
    系列: PIC® 16C
    核心處理器: PIC
    芯體尺寸: 8-位
    速度: 4MHz
    外圍設(shè)備: POR,WDT
    輸入/輸出數(shù): 12
    程序存儲器容量: 768B(512 x 12)
    程序存儲器類型: OTP
    RAM 容量: 25 x 8
    電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 3 V ~ 5.5 V
    振蕩器型: 外部
    工作溫度: -40°C ~ 125°C
    封裝/外殼: 18-DIP(0.300",7.62mm)
    包裝: 管件
    第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁當(dāng)前第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁
    PIC18F2450/4450
    2006 Microchip Technology Inc.
    Advance Information
    DS39760A-page 79
    6.5
    Writing to Flash Program Memory
    The minimum programming block is 8 words or
    16 bytes. Word or byte programming is not supported.
    Table writes are used internally to load the holding
    registers needed to program the Flash memory. There
    are 16 holding registers used by the table writes for
    programming.
    Since the Table Latch (TABLAT) is only a single byte, the
    TBLWT
    instruction may need to be executed 16 times for
    each programming operation. All of the table write oper-
    ations will essentially be short writes because only the
    holding registers are written. At the end of updating the
    16 holding registers, the EECON1 register must be
    written to in order to start the programming operation
    with a long write.
    The long write is necessary for programming the
    internal Flash. Instruction execution is halted while in a
    long write cycle. The long write will be terminated by
    the internal programming timer.
    The write/erase voltages are generated by an on-chip
    charge pump, rated to operate over the voltage range
    of the device.
    FIGURE 6-5:
    TABLE WRITES TO FLASH PROGRAM MEMORY
    6.5.1
    FLASH PROGRAM MEMORY WRITE
    SEQUENCE
    The sequence of events for programming an internal
    program memory location should be:
    1.
    Read 64 bytes into RAM.
    2.
    Update data values in RAM as necessary.
    3.
    Load Table Pointer register with address being
    erased.
    4.
    Execute the Row Erase procedure.
    5.
    Load Table Pointer register with address of first
    byte being written.
    6.
    Write 16 bytes into the holding registers with
    auto-increment.
    7.
    Set the EECON1 register for the write operation:
    clear the CFGS bit to access program memory;
    set WREN to enable byte writes.
    8.
    Disable interrupts.
    9.
    Write 55h to EECON2.
    10. Write 0AAh to EECON2.
    11. Set the WR bit. This will begin the write cycle.
    12. The CPU will stall for duration of the write (about
    2 ms using internal timer).
    13. Re-enable interrupts.
    14. Repeat steps 6 through 14 once more to write
    64 bytes.
    15. Verify the memory (table read).
    This procedure will require about 8 ms to update one
    row of 64 bytes of memory. An example of the required
    code is given in Example 6-3.
    Note:
    The default value of the holding registers on
    device Resets and after write operations is
    FFh. A write of FFh to a holding register
    does not modify that byte. This means that
    individual bytes of program memory may be
    modified, provided that the change does not
    attempt to change any bit from a ‘0’ to a ‘1’.
    When modifying individual bytes, it is not
    necessary to load all 16 holding registers
    before executing a write operation.
    TBLPTR = xxxxxF
    TBLPTR = xxxxx1
    TBLPTR = xxxxx0
    TBLPTR = xxxxx2
    Program Memory
    Holding Register
    8
    TABLAT
    Write Register
    Note:
    Before setting the WR bit, the Table
    Pointer address needs to be within the
    intended address range of the 16 bytes in
    the holding register.
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    V300C28M75BF CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
    VI-BWY-IV-S CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
    V300C28M75BL3 CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
    VI-2WZ-IV-S CONVERTER MOD DC/DC 2V 60W
    V300C28M75BL2 CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
    PIC16C54C-04I/P 功能描述:8位微控制器 -MCU .75KB 25 RAM 12 I/O 4MHz IndTemp PDIP18 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
    PIC16C54C-04I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC 8BIT CMOS MCU 16C54 DIP18
    PIC16C54C-04I/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:18 Pin 0.75 KB OTP 25 RAM 12 I/O
    PIC16C54C-04I/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU .75KB 25 RAM 12 I/O 4MHz IndTemp SOIC18 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
    PIC16C54C-04I/SO 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:8BIT CMOS MCU SMD 16C54 SOIC18