參數(shù)資料
型號(hào)： PHP80N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 75 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 66K
代理商： PHP80N06T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP80N06T
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKX514-55
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID (A)
Current Derating
100
80
60
40
20
0
Limited by package
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
16
10
8
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
VGS/V =
VDS/V
VDS / V
ID / A
RDS(ON) = VDS/ID
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
1
10
100
1000
1
10
55
DC
SOAX514
100
0
5
10
15
20
25
30
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95100
ID/A
RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
6
6.5
7
8
9
10
December 1997
4
Rev 1.100
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PDF描述
PHP83N06T TrenchMOS Standard Level FET
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