參數(shù)資料
型號(hào)： PHD87N03LT
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大小： 99K
代理商： PHD87N03LT
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP87N03LT, PHB87N03LT
PHD87N03LT
MECHANICAL DATA
Fig.16. SOT404 surface mounting package. Centre pin connected to mounting base.
Notes
1. This product is supplied in anti-static packaging. The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
2. Refer to SMD Footprint Design and Soldering Guidelines, Data Handbook SC18.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.40
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
98-12-14
99-06-25
October 1999
7
Rev 1.600
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP87N03LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHB87N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHB8N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW8N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP8N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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PHD97NQ03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET
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