參數(shù)資料
型號： PHD16N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 16 A, 30 V, 0.067 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 92K
代理商： PHD16N03LT
PHD16N03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 01 — 08 March 2004
Product data
M3D300
1.
Product profile
1.1 Description
Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package
using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.
I
Logic level threshold
I
Fast switching.
I
DC-to-DC converters
I
General purpose switching.
I
V
DS
≤
30 V
I
P
tot
≤
32.6 W
I
I
D
≤
16 A
I
R
DSon
≤
67 m
.
Table 1:
Pin
1
2
3
mb
Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol
Description
gate (g)
drain (d)
source (s)
mounting base;
connected to drain (d)
Simplified outline
Symbol
SOT428 (D-PAK)
[1]
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關PDF資料
PDF描述
PHD24N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHD32UCA PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
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PHD32VAY PHD32 Series . 32A Non-Isolated DC/DC Converter 5V, 3.3V Input Dual Output
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHD16N03LT /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03LT,118 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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PHD16N03T /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD16N03T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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