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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB87N03T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | PHB87N03T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB87N03T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 75 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 45 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
7510-30
QG / nC
VGS / V
VDS / V = 6
24
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
1
2
0
20
40
60
80
100
7510-30
VSDS / V
IF / A
Tj / C = 175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
December 1997
6
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB8N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW8N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHBF0510-FEC | CONDUIT SCREENED 25MMX10M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PHB87NO3T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB8N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB8N50T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | SOT-404 |
| PHB8ND50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
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