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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB80N06LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-404, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | PHB80N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB80N06LT
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKX514-55
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID (A)
Current Derating
100
80
60
40
20
0
Limited by package
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
10
5
4
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
VGS/V =
VDS / V
ID / A
RDS(ON) = VDS/ID
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
1
10
100
1000
1
10
55
DC
SOAX514
100
10
12
14
16
18
20
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95 100
RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
3.6
4
4.2
4.4
4.6
5
ID/A
December 1997
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB80N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
| PHD87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
| PHP87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
| PHB87N03T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB80N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
| PHB80N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB80N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
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