- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367938 > PHB69N03T (NXP SEMICONDUCTORS) TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB69N03T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 69 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | PHB69N03T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB69N03T
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 36 A; V
≤
15 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
125
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB80N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB80N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
| PHD87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
| PHP87N03LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB69N03TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 69A I(D) | SOT-404 |
| PHB6N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB6N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB6N60T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7A I(D) | SOT-404 |
| PHB6ND50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。