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參數(shù)資料
| 型號： | PHB44N06T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 44 A, 55 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | PHB44N06T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHB44N06T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 40 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 40 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
5
10
15
20
25
30
35
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.5
1
1.5
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
December 1997
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB45N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB4N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHP4N40E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB4N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHP4N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB44N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 44A I(D) | SOT-404 |
| PHB45N03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:45 A, 30 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| PHB45N03LTA | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:40 A, 25 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| PHB45N03LTA,118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHB45N03LTA/SOT404/REEL13// - Tape and Reel |
| PHB45N03LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | SOT-404 |
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