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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB36N06E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 41 A, 60 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | PHB36N06E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHB36N06E
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 41 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 41 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
12
BUK474-60H
QG / nC
VGS / V
48
VDS / V = 12
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
BUK474-60H
VSDS / V
IF / A
Tj / C =
-40
25
150
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
August 1996
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB37N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB3N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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| PHB3N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PHB37N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 37A I(D) | SOT-404 |
| PHB37N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
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