參數(shù)資料
型號(hào)： PH313
廠商： NEC Corp.
英文描述： SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN PHOTO DIODE DETECTOR
中文描述： 硅外延平面PIN光電二極管探測(cè)器
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： PH313
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH3135-20M Radar Pulsed Power Transistor, 20W,100ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5 GHz
PH3135-25S Radar Pulsed Power Transistor,25W,2ms Pulse,10% Duty 3.1-3.5GHz
PH3135-30M Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, IOOms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.5 GHz
PH3135-5M Radar Pulsed Power Transistor, 5W, looms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.5 GHz
PH3135-5S Radar Pulsed Power Transistor,5W,2ms Pulse, 10% Duty 3.1-3.5 GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PH3134-10M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,10W,3.1-3.4GHZ - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH3134-11S 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
PH3134-20L 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
PH3134-25M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANSISTOR,BIPOLAR,25W,36V,3.10-3.40GHZ - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH3134-2OL 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 300ms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.4 GHz
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*