型號: | PH1214-25L |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 1.6A I(C) | FO-41BVAR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 70V的五(巴西)總裁| 1.6AI(丙)|佛41BVAR |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 137K |
代理商: | PH1214-25L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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PH1214-25S | Radar Pulsed Power Transistor |
PH1214-30 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 3A I(C) | FO-53 |
PH1214-30EL | High Speed Comparator; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: 0°C to +70°C |
PH1214-3L | Radar Pulsed Power Transistor, 3W |
PH1214-60 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 7A I(C) | FO-53 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PH1214-25M | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
PH1214-25S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
PH1214-2M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
PH1214-30 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 3A I(C) | FO-53 |
PH1214-300M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |