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參數(shù)資料
| 型號： | PF00105A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | KPT 5C 5#16 SKT PLUG |
| 中文描述： | 場效應晶體管功率放大器模塊用于AMPS手持電話 |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | PF00105A |
PF00105A
2
Electrical Characteristics
(Tc = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Frequency range
f
824
—
849
MHz
—
Drain cutoff current
I
DS
—
—
20
μ
A
V
DD
= 7 V, V
APC
= 0 V
Total efficiency
η
T
45
48
—
%
Pin = +8 dBm, V
DD
= 4.6 V,
2nd harmonic distortion
2nd H.D.
—
–40
–30
dBc
Pout = 1 W (at APC controlled)
3rd harmonic distortion
3rd H.D.
—
–40
–30
dBc
R
L
= Rg = 50
, Tc = 25
°
C
Input VSWR
VSWR (in)
—
1.5
3.0
—
Output power
Pout
1.0
1.1
—
W
Pin = +8 dBm, V
DD
= 4.6 V,
V
APC
= 3 V, R
L
= Rg = 50
,
Tc = 25
°
C
Isolation
—
—
–20
+6
dBm
Pin = +8 dBm, V
DD
= 4.6 V,
V
APC
= 0.1 V, R
L
= Rg = 50
,
Tc = 25
°
C
Stability
—
No parasitic
oscillation
—
Pin = +8 dBm, V
DD
= 4.3 to 6 V,
Pout
≤
1.2 W (at APC controlled),
Rg = 50
, Tc = 25
°
C,
Output VSWR = 3 : 1 All phases
Pin = +8 dBm, V
DD
= 4.3 to 6 V,
Pout
≤
1.2 W (at APC controlled),
Rg = 50
, Tc = 25
°
C,
Output VSWR = 10 : 1 All phases
Load VSWR tolerance
—
No parasitic
oscillation
—
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PF0030 | KPT 5C 5#16 SKT PLUG |
| PF0032 | MOS FET Power Amplifier |
| PF0121 | MOS FET Power Amplifier Module for GSM Mobile Phone |
| PF0140 | MOSFET POWER AMPLIFIER MODULE FOR GSM HANDY PHONE |
| PF01410 | MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PF0010SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF Amplifier |
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