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參數資料
| 型號： | PDMB200E6 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | PDMB200E6 |
| 中文描述： | PDMB200E6 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 257K |
| 代理商： | PDMB200E6 |
QS043-402-20392（2/5）
00
日本インター株式會社
ＩＧＢＴ
Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
２００
Ａ，６００Ｖ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
ＰＤＭＢ２００Ｅ６
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ
Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
コレクタエミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー トエ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
Ｖ
ＣＥＳ
６００
Ｖ
Ｖ
ＧＥＳ
±２０
Ｖ
ＤＣ
１ｍｓ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
２００
４００
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
Ａ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
Ｐ
Ｃ
７８０
Ｗ
接 合 溫 度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔ
ｊ
－４０～＋１５０
℃
保 存 溫 度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔ
ｓｔｇ
－４０～＋１２５
℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｖ
ＩＳＯ
２,５００
Ｖ
（ＲＭＳ）
３（３０.６）
Ｆ
ｔｏｒ
２（２０.４）
Ｎｍ
(kgfcm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
コ レ ク タ 遮 斷 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｉ
ＣＥＳ
Ｖ
ＣＥ
= 600V, Ｖ
ＧＥ
= 0V
－
－
１.０
ｍＡ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタエミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
Ｖ
ＣＥ（ｓａｔ）
Ｉ
Ｃ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
－
２.１ ２.６
Ｖ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
Ｖ
ＧＥ（ｔｈ）
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 200mA
４.０ －
８.０
Ｖ
入 力 容 量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃ
ｉｅｓ
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,ｆ= 1MH
Ｚ
－
10,000 －
ｐＦ
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime
下 降 時 間 Ｆall Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime
ｔ
ｒ
ｔ
ｏｎ
ｔ
ｆ
ｔ
ｏｆｆ
－
－
－
－
０.１５
０.２５
０.１０
０.３５
０.３０
０.４０
０.３５
０.７０
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
Ｖ
ＣＣ
= 300V
Ｒ
Ｌ
= 1.5Ω
Ｒ
Ｇ
= 3.6Ω
Ｖ
ＧＥ
= ±15V
μｓ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｒａｔｅｄ
Ｖａｌｕｅ
２００
４００
Ｕｎｉｔ
Ａ
ＤＣ
１ｍｓ
順 電 流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
Ｔｙｐ.
Ｍａｘ.
Ｕｎｉｔ
順 電 圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｖ
Ｆ
Ｉ
Ｆ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
－
１.９
２.４
Ｖ
ｔ
ｒｒ
Ｉ
Ｆ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
ｄi/ｄt= 400A/μs
－
０.１５
０.２５
μｓ
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
（Tc測定點チップ直下）
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.１６
０.３８
Ｕｎｉｔ
ＩＧＢＴ
Ｄiode
熱 抵 抗
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｒth(j-c)
℃／Ｗ
7(G2)
6(E2)
5(E1)
4(G1)
(C1)
3
(2
(C1
2-6.5
23.0
23.0
17.0
4
4
3-M5
1
±0.25
1
4
12.0
12.0
12.0
11.0
11.0
80
94.0
1
2
3
7
6
5
4
3
+
-
14
9
14
9
14
4-fasten tab
#110 t=0.5
7
2
7
LABEL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDOCL010 | OPERATOR TERMINAL |
| PDOCL015 | OPERATOR TERMINAL |
| PDOCL020 | OPERATOR TERMINAL |
| PDP-2N-100 | Analog IC |
| PDP-2N-1000 | Analog IC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDMB300A6 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE Dual 300A 600V |
| PDMB300A6_1 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:300 A 600 V |
| PDMB300A6C | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:300 A 600 V |
| PDMB300B12 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:IGBT MODULE Dual 300A 1200V |
| PDMB300B12_1 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:300A, 1200V |
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