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參數(shù)資料
| 型號： | PD57018S |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | PD57018S |
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PD57018 PD57018S
PowerSO-10RF (Straight Lead) MECHANICAL DATA
PowerSO-10RF (Formed Lead) MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD57030 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57030S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD75104 | 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER |
| PD78F0138M3GK(A)-9ET | 8-Bit Single-Chip Microcontrollers |
| PD780131 | 8-Bit Single-Chip Microcontrollers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD57018S-E | 功能描述:MOSFET 8 BITS MICROCONTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PD57018STR-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57018TR-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57030 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 4.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57030-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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