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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PD55008S |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | PD55008S |
PD55008 - PD55008S
TYPICAL PERFORMANCE
4/10
Output Power vs. Input Power
0
0.1
0.2
0.3
Pin, INPUT POWER (W)
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
2
4
6
8
10
12
14
P
V
DD
=12.5V
I
DQ
=150mA
480MHz
500MHz
520MHz
Power Gain vs. Output Power
0
2
4
6
8
10
12
Pout, OUTPUT POWER (W)
6
8
10
12
14
16
18
20
22
P
V
DD
=12.5V
I
DQ
=150mA
480MHz
500MHz
520MHz
Drain Efficiency vs. Output Power
0
2
4
6
8
10
12
Pout, OUTPUT POWER (W)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
N
V
DD
=12.5V
I
DQ
=150mA
480MHz
500MHz
520MHz
Input Return Loss vs. Output Power
0
2
4
6
8
10
12
Pout, OUTPUT POWER (W)
-40
-30
-20
-10
0
R
V
DD
=12.5V
I
DQ
=150mA
480MHz
500MHz
520MHz
Output Power vs. Bias Current
0
100
200
300
IDQ, BIAS CURRENT (mA)
400
500
600
700
800
0
2
4
6
8
10
12
P
V
DD
=12.5V
Pin=21.7dBm
480MHz
500MHz
520MHz
Drain Efficiency vs. Bias Current
0
100
200
300
IDQ, BIAS CURRENT (mA)
400
500
600
700
800
10
20
30
40
50
60
70
N
V
DD
=12.5V
Pin=21.7dBm
480MHz
500MHz
520MHz
PD55008
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD55015 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55015-PD55015S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55015S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57002 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57002S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PD55008S-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55008STR | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 4.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55008STR-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55008TR | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 4.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55008TR-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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