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參數(shù)資料
| 型號： | PD55003S |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 8/19頁 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | PD55003S |
PD55003 - PD55003S
TYPICAL PERFORMANCE (860MHz)
Output Power vs. Input Power
8/19
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
Pin (W)
0
1
2
3
4
5
Pout (W)
Vdd = 12.5V
Idq = 50 mA
PD55003
Drain Efficiency vs. Output Power
0
1
2
3
4
5
Pout (W)
10
20
30
40
50
60
Nd (%)
Vdd = 12.5V
Idq = 50 mA
Input Return Loss vs. Output Power
0
1
2
3
4
5
Pout (W)
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
Rl (dB)
Vdd = 12.5V
Idq = 50 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD55008 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55008S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55015 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55015-PD55015S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD55015S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD55003S-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55003S-E-E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| PD55003STR | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 2.5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55003STR-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD55003TR | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 2.5 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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