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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PD54003 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | PD54003 |
PD54003 - PD54003S
TYPICAL PERFORMANCE
6/10
5
6
7
8
9
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
1
2
3
4
5
6
P
480MHz
500MHz
520MHz
Pin=22dBm
Idq=50mA
Return Loss vs. Output Power
0
1
2
3
4
Pout,OUTPUT POWER(W)
-40
-30
-20
-10
0
R
480MHz
500MHz
520MHz
Vdd=7.5V
Idq=50mA
Output Power vs. Bias Current
0
100
200
300
400
500
600
700
800
IDQ, BIASCURRENT(mA)
2.6
2.7
2.8
2.9
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
P
480MHz
500MHz
520MHz
Pin=22dBm
Vdd=7.5V
Drain Efficency vs. Bias Current
0
100
200
300
400
500
600
700
800
IDQ,BIAS CURRENT (mA)
10
20
30
40
50
60
N
480MHz
500MHz
520MHz
Pin=22dBm
Vdd=7.5V
Drain Efficency vs. Supply Voltage
5
6
7
8
9
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (V)
30
40
50
60
70
N
480MHz
500MHz
520MHz
Pin=22dBm
Idq=50mA
Output Power vs. Supply Voltage
Output Power vs. Gate-Source Voltage
0
1
VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
4
0
1
2
3
4
P
480MHz
500MHz
520MHz
Pin= 22dBm
Vdd=7.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD54003-PD54003S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD54003S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD54008 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD54008-PD54008S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD54008S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD54003-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 4A I(D) | LLCC |
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| PD54003-E_10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
| PD54003L | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 25 Volt 4 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD54003L-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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