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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PD16707 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOS INTEGRATED CIRCUIT |
| 中文描述： | 馬鞍山集成電路 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | PD16707 |
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Data Sheet S16411EJ1V0DS
10
μ
PD16707
Table 2-1 Pad Coordinate Bump size (7/7)
(X:Y) [
μ
m]
Bump size
83:33
50:87
87:50
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
33:83
87:50
PAD No.
601
602
603
604
605
606
607
608
609
610
611
612
613
614
615
616
617
618
619
620
PAD Name
V
DD1
DUMMY
DUMMY
V
SS
V
SS
STVR
STVR
PASSR
PASSR
CLKR
CLKR
V
SS
V
SS
R,/LR
R,/LR
V
DD1
V
DD1
/AOR
/AOR
DUMMY
X
Y
312.0
312.0
221.0
143.0
143.0
88.0
88.0
33.0
33.0
-22.0
-22.0
-77.0
-77.0
-132.0
-132.0
-187.0
-187.0
-242.0
-242.0
-320.0
7225.0
7303.0
7879.0
7778.0
7879.0
7778.0
7879.0
7778.0
7879.0
7778.0
7879.0
7778.0
7879.0
7778.0
7879.0
7778.0
7879.0
7778.0
7879.0
7879.0
Bump Specs (Standard reference value)
Parameter
Specifications
Bump size tolerance
±5
μ
m
Bump height (design center value)
15
μ
m
Bump height tolerance (within lot)
±4
μ
m
Bump height tolerance (within chip)
Range : 3
μ
m
Bump hardness
50 ± 20 Hv
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD54003 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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