參數資料
型號： PC28F640P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA64
封裝： LEAD FREE, BGA-64
文件頁數： 8/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： PC28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
8
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
1.3
Conventions
RFU :
Reserved for Future Use
SR :
Status Register
WSM :
Write State Machine
VCC :
Signal or voltage connection
V
CC
:
0x :
Signal or voltage level
Hexadecimal number prefix
0b :
Binary number prefix
SR[4] :
Denotes an individual register bit.
A[15:0] :
Denotes a group of similarly named signals, such as address
or data bus.
A5 :
Denotes one element of a signal group membership, such as
an individual address bit.
Bit :
Binary unit
Byte :
Eight bits
Word :
Two bytes, or sixteen bits
Kbit :
1024 bits
KByte :
1024 bytes
KWord :
1024 words
Mbit :
1,048,576 bits
MByte :
1,048,576 bytes
MWord :
1,048,576 words
相關PDF資料
PDF描述
PC28F640P30T85 CAP 0.1UF 50V 20% Z5U RAD.10 .20X.20 TR-13
PC48F4400P0VB00 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F0P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F2P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PC48F3P0VTQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
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參數描述
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PC28F640P30B85D 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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PC28F640P30BF65B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS TBGA
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