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參數資料
| 型號： | PBYL1025 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Rectifier diodes Schottky barrier(肖特基勢壘整流二極管) |
| 中文描述： | 10 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | PBYL1025 |
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
Schottky barrier
PBYL1025 series
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance junction
to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction
to ambient
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
3
K/W
in free air
-
60
-
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
V
F
Forward voltage
CONDITIONS
I
F
= 10 A; T
j
= 150C
I
F
= 10 A; T
j
= 125C
I
F
= 20 A; T
j
= 125C
I
= 20 A
V
R
= V
RWM
V
R
= V
; T
= 100C
V
R
= 5 V; f = 1 MHz, T
j
= 25C to 125C
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
TYP. MAX. UNIT
0.33
0.4
0.39
0.45
0.54
0.61
0.57
0.64
0.2
5
15
30
580
-
V
V
V
V
I
R
Reverse current
mA
mA
pF
C
d
Junction capacitance
March 1998
2
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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