參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS4350SA
英文描述： 50 V low VCEsat NPN transistor
中文描述： 50伏低飽和壓降NPN型晶體管
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： PBSS4350SA
2003 Jan 30
5
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
handbook, halfpage
0
10
1
200
400
600
MHC471
1
IC (mA)
hFE
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
MHC472
0
10
1
0
.
4
0
.
8
1
10
IC (mA)
VBE
(V)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 5 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
10
10
2
3
MHC473
IC (mA)
VCEsat
(mV)
(1)
(3)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
MHC474
10
1
1
10
IC (mA)
10
3
10
2
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS4350T TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
PBSS4350X 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBTAMFR95BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK300R BRAID SLEEVING 300M
PBTAMFR127BK50C BRAID SLEEVING 50M
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBSS4350SPN 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS4350SPN T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350SPN,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4350SPN115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
PBSS4350SS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
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