參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS4350
廠(chǎng)商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN transistor
中文描述： NPN晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： PBSS4350
2001 Nov 19
4
Philips Semiconductors
Product specification
50 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4350S
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
IC (mA)
100
200
300
500
400
MLD758
1
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(V)
0
10
1
0.2
IC (mA)
0.4
0.8
0.6
1
MLD759
1
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
IC (mA)
3
10
2
10
1
10
1
MLD760
1
10
10
2
10
3
10
4
VCEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(V)
IC (mA)
0.6
0.4
0.2
0
10
1
0.8
1
MLD761
1
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
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