參數(shù)資料
型號： PBSS4240V
英文描述： 40 V low VCEsat NPN transistor
中文描述： 40伏低飽和壓降NPN型晶體管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： PBSS4240V
2003 Jan 30
7
Philips Semiconductors
Product specification
40 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS4240V
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
01-01-04
01-08-27
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.27
0.17
0.18
0.08
1.7
1.5
1.3
1.1
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
y
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.3
0.1
SOT666
bp
pin 1 index
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
A
S
0
1
2 mm
scale
A
0.6
0.5
c
X
1
2
3
4
5
6
Plastic surface mounted package; 6 leads
SOT666
Y S
w
M
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS4240T 40 V low VCEsat NPN transistor
PBSS4320T 20 V low VCEsat NPN transistor
PBSS4350SA 50 V low VCEsat NPN transistor
PBSS4350T TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SOT-23
PBSS4350X 50 V. 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBSS4240V T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4240V,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS4240V 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-666
PBSS4240X 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSNPN 40V2A SOT89
PBSS4240XF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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