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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PA28F400BVB60 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, PDSO44 |
| 封裝： | 1.110 X 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 559K |
| 代理商： | PA28F400BVB60 |
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28F400BX-T/B, 28F004BX-T/B
DC CHARACTERISTICS
(Continued)
Symbol
Parameter
Notes Min Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
CCS
V
CC
Standby Current
1, 3
1.5
mA V
CC
e
V
CC
Max
CE
Y
e
RP
Y
e
V
IH
m
A V
CC
e
V
CC
Max
CE
Y
e
RP
Y
e
V
CC
g
0.2V
28F400BX:
BYTE
Y
e
V
CC
g
0.2V or GND
m
A RP
Y
e
GND
g
0.2V
mA V
CC
e
V
CC
Max, CE
Y
e
GND
f (Max)
e
10 MHz, f (Typ)
e
5 MHz
I
OUT
e
0 mA
CMOS Inputs
100
I
CCD
V
CC
Deep Powerdown Current
1
0.20
1.2
I
CCR
V
CC
Read Current for
28F400BX Word-Wide
and Byte-Wide Mode
and 28F004BX
Byte-Wide Mode
1, 5,
6, 10
20
55
20
60
mA V
CC
e
V
CC
Max, CE
Y
e
V
IL
f (Max)
e
10 MHz, f (Typ)
e
5 MHz
I
OUT
e
0 mA
TTL Inputs
I
CCW
V
CC
Word/Byte Write Current
1, 4
65
mA Word or Byte Write in Progress
I
CCE
V
CC
Block Erase Current
1, 4
30
mA Block Erase in Progress
I
CCES
V
CC
Erase Suspend Current
1, 2
5
10
mA Block Erase Suspended,
CE
Y
e
V
IH
m
A V
PP
s
V
CC
m
A RP
Y
e
GND
g
0.2V
I
PPS
V
PP
Standby Current
1
g
15
I
PPD
V
PP
Deep PowerDown Current
1
5.0
I
PPR
V
PP
Read Current
1
200
m
A V
PP
l
V
CC
mA V
PP
e
V
PPH
Word Write in Progress
I
PPW
V
PP
Word Write Current
1, 4
40
I
PPW
V
PP
Byte Write Current
1, 4
30
mA V
PP
e
V
PPH
Byte Write in Progress
I
PPE
V
PP
Block Erase Current
1, 4
30
mA V
PP
e
V
PPH
Block Erase in Progress
I
PPES
V
PP
Erase Suspend Current
1
200
m
A V
PP
e
V
PPH
Block Erase Suspended
I
RP
Y
RP
Y
Boot Block Unlock
Current
1, 4
500
m
A RP
Y
e
V
HH
I
ID
A
9
Intelligent Identifier Current
1, 4
500
m
A A
9
e
V
ID
V
ID
A
9
Intelligent Identifier Voltage
11.5
13.0
V
V
IL
Input Low Voltage
b
0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
CC
a
0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
0.45
V
V
CC
e
V
CC
Min
I
OL
e
5.8 mA
31
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PDF描述 |
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