參數(shù)資料
型號： P6SMB130
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： GREEN, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 128K
代理商： P6SMB130
Test
Stand-Off
Maximum
Current
Voltage
Reverse Leakage Peak Pulse Clamping Voltage Temperature
IT
VWM
@ VWM
Current IRSM
@ IPPM
Coefficient
Min
Max
(mA)
(V)
ID (uA)
(A) (Note 2)
Vc(V)
of VBR(%/℃)
P6SMB100
MWJ
90
110
1.0
81.0
5.0
4.3
144
0.106
P6SMB100A
MXJ
95
105
1.0
85.5
5.0
4.5
137
0.106
P6SMB110
MYJ
99
121
1.0
89.2
5.0
3.9
158
0.107
P6SMB110A
MZJ
105
116
1.0
94.0
5.0
4.1
152
0.107
P6SMB120
NDJ
108
132
1.0
97.2
5.0
3.6
173
0.107
P6SMB120A
NEJ
114
126
1.0
102.0
5.0
3.8
165
0.107
P6SMB130
NFJ
117
143
1.0
105.0
5.0
3.3
187
0.107
P6SMB130A
NGJ
124
137
1.0
111.0
5.0
3.5
179
0.107
P6SMB150
NHJ
135
165
1.0
121.0
5.0
2.9
215
0.108
P6SMB150A
NKJ
143
158
1.0
128.0
5.0
3.0
207
0.108
P6SMB160
NLJ
144
176
1.0
130.0
5.0
2.7
230
0.108
P6SMB160A
NMJ
152
168
1.0
136.0
5.0
2.8
219
0.108
P6SMB170
NNJ
153
187
1.0
138.0
5.0
2.5
244
0.108
P6SMB170A
NPJ
162
179
1.0
145.0
5.0
2.6
234
0.108
P6SMB180
NQJ
162
198
1.0
146.0
5.0
2.4
258
0.108
P6SMB180A
NRJ
171
189
1.0
154.0
5.0
2.5
246
0.108
P6SMB200
NSJ
180
220
1.0
162.0
5.0
2.1
287
0.108
P6SMB200A
NTJ
190
210
1.0
171.0
5.0
2.2
274
0.108
P6SMB220
NUJ
198
242
1.0
175.0
5.0
1.8
342
0.108
P6SMB220A
NVJ
209
231
1.0
185.0
5.0
1.9
328
0.108
Notes:
1. VBR measure after IT applied for 300us, IT=square wave pulse or equivalent.
2. Surge current waveform per Figure. 3 and derate per Figure. 2.
3. For bipolar types having VWM of 10 volts and under, the I D limit is doubled.
4. For bidirectional use C or CA suffix for types P6SMB6.8 through P6SMB220A.
5. All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35.
Version:E11
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Device
Marking
Code
Breakdown Voltage
VBR (V)
(Note 1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P6SMB16 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
P6SMB20A 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
P6SMB130C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
P6SMB91C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
P6SMB250A/5B 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P6SMB130A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 TVS SURF MT DO214AA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
P6SMB130A R4 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 130V 5% UNIDIR TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
P6SMB130A R5 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 130V 5% UNIDIR TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
P6SMB130A/5 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 130V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
P6SMB130A/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 130V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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