參數(shù)資料
型號(hào)： P6KE82E3TR
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： PLASTIC, T-18, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 240K
代理商： P6KE82E3TR
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
P6KE6.8 thru 200CA, e3
P6KE6.8
thru
200A
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
FIGURE 3 - Derating Curve
FIGURE 4 - P6KE Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
T-18
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-20-2007 REV G
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PLAD15KP110AE3TR 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
PLAD15KP14ATR 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
PLAD15KP17ATR 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
PLAD15KP200A 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
PLAD15KP300CAE3 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P6KE82HE3/54 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 82V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
P6KE82HE3/73 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 82V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
P6KE82-T 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 _ RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
P6KE82-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 66.4V 600W 2-Pin DO-15 T/R
P6KE8V2A 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600 Watt TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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