參數(shù)資料
型號(hào)： P2N2222
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Amplifier Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 放大器晶體管（NPN硅）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 238K
代理商： P2N2222
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
40
Vdc
Collector–Base Voltage
75
Vdc
Emitter–Base Voltage
6.0
Vdc
Collector Current — Continuous
600
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10 Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
75
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
6.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc)
ICEX
—
10
nAdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
(VCB = 60 Vdc, IE = 0, TA = 150
°
C)
ICBO
—
—
0.01
10
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
10
nAdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 10 V)
ICEO
—
10
nAdc
Base Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 3.0 Vdc)
IBEX
—
20
nAdc
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by P2N2222A/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 17
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
1
2
BASE
3
EMITTER
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PDF描述
P2N2222A Amplifier Transistors(NPN Silicon)
P2N2222 Amplifier Transistors
P2N2222A Amplifier Transistors
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參數(shù)描述
P2N2222A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
P2N2222A/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistor NPN
P2N2222AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
P2N2222AG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
P2N2222AOS-ND 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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