參數(shù)資料
型號: P2600Z
英文描述: solid state crowbar devices
中文描述: 固態(tài)撬棍設(shè)備
文件頁數(shù): 13/212頁
文件大小: 1877K
代理商: P2600Z
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁
Description of Part Number
P
G
2002 Teccor Electronics
SIDACtor
Data Book and Design Guide
1 - 9
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
The following illustration shows a description of a sample
Battrax
device part number.
The following illustration shows a description of a sample asymmetrical
SIDACtor
device
part number.
B 1
1
U
A
DEVICE TYPE
B =
Battrax
PACKAGE TYPE
C = Three-leaded DO-214
U = Six-pin SOIC
CONSTRUCTION VARIABLE
0 = No diode
1 = Diode
4 = Four
Battrax
Devives
I
PP
RATING
A = 50 A (10x560 μs)
B = 100 A (10x560 μs)
C = 500 A (2x10 μs)
HOLDING CURRENT
05 = 50 mA
10 = 100 mA
16 = 160 mA
20 = 200 mA
10
Battrax
TYPE
1 = Negative
2 = Positive
3 = Dual
A
1806
U
C
DEVICE TYPE
A = Asymmetrical
SIDACtor
PACKAGE TYPE
A = TO-220
M = TO-218
U = Six-pin SOIC
LEAD FORM OPTIONS
TO-220 modified type 60, 61, or 62
For U type:
3 = 3 chips
4 = 4 chips
6 = 6 chips
4
I
PP
RATING
A = 50 A (10x560 μs)
B = 100 A (10x560 μs)
C = 500 A (2x10 μs)
D = 1000 A (8x20 μs)
E = 3000 A (8x20 μs)
PACKING OPTIONS
AP = Ammo pack
RP = Reel pack
TP = Tube pack
MEDIAN VOLTAGE RATING
1806 = 180 V and 60 V
TP
3 = Three Matched
SIDACtor
chips
Patented
1
3
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P2604U solid state crowbar devices
P2702A solid state crowbar devices
P2702ACMC solid state crowbar devices
P2702Z solid state crowbar devices
P2703A solid state crowbar devices
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P2600ZA 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 4Chp 220V 50A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600ZB 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 4Chp 220V 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600ZC 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 4Chp 220V 500A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2602 制造商:ETAL 制造商全稱:ETAL 功能描述:LINE MATCHING TRANSFORMER
P2602G_LRP 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:SIDACtor Protection Thyristors