參數(shù)資料
型號(hào)： P2600SCMC
英文描述： solid state crowbar devices
中文描述： 固態(tài)撬棍設(shè)備
文件頁(yè)數(shù)： 166/212頁(yè)
文件大小： 1877K
代理商： P2600SCMC
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Construction and Operation
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
5 - 4
2002 Teccor Electronics
SIDACtor
Data Book and Design Guide
amounts of current because of the low voltage drop (V
T
) across the device. Once the
current flowing through the device is either interrupted or falls below a minimum holding
current (I
H
), the
SIDACtor
resets, returning to its off state. If the I
PP
rating is exceeded, the
SIDACtor
device typically becomes a permanent short circuit.
Physics
The
SIDACtor
device is a semiconductor device which is characterized as having four
layers of alternating conductivity: PNPN. (Figure 5.2) The four layers include an emitter
layer, an upper base layer, a mid-region layer, and a lower base layer. The emitter is
sometimes referred to as a cathode region, with the lower base layer being referred to as
an anode region.
As the voltage across the
SIDACtor
device increases and exceeds the device’s V
DRM
, the
electric field across the center junction reaches a value sufficient to cause avalanche
multiplication. As avalanche multiplication occurs, the impedance of the device begins to
decrease, and current flow begins to increase until the
SIDACtor
device’s current gain
exceeds unity. Once unity is exceeded, the
SIDACtor
device switches from a high
impedance (measured at V
S
) to a low impedance (measured at V
T
) until the current flowing
through the device is reduced below its holding current (I
H
).
Figure 5.2
Geometric Structure of Bidirectional
SIDACtor
devices
P
N
N
N
P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P2200AA 16-pin, 1.75KB Flash, 72B RAM, 2x Comparator, 8MHz internal osc, High Volt supp, -40C to +125C, 14-SOIC 150mil, TUBE
P2500L MCU CMOS 80 LD 33MHZ 8K EPRM, -40C to +85C, 80-TQFP, TRAY
P2500PR MCU CMOS 84 LD LOW PWR, -40C to +85C, 84-PLCC, TUBE
P2600SD solid state crowbar devices
P2600Z solid state crowbar devices
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P2600SCMCL 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:gas plasma arresters-package dimensions/specifications
P2600SCMCLRP 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 500A 220V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600SCMCRP 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 500A 220V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600SCRP 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 500A 220V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600SD 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 P2600SD RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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