參數(shù)資料
型號(hào)： P2600ECMC
英文描述： solid state crowbar devices
中文描述： 固態(tài)撬棍設(shè)備
文件頁(yè)數(shù)： 52/212頁(yè)
文件大?。?/td> 1877K
代理商： P2600ECMC
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Balanced Three-chip MicroCapacitance (MC) SIDACtor Device
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
2 - 34
2002 Teccor Electronics
SIDACtor
Data Book and Design Guide
Balanced Three-chip MicroCapacitance (MC)
SIDACtor
Device
The balanced three-chip TO-220 MC
SIDACtor
solid state device protects telecommunica-
tion equipment in high-speed applications that are sensitive to load values and that require
a lower capacitance. C
O
values for the MC are 40% lower than a standard AC part.
This MC
SIDACtor
series is used to enable equipment to meet various regulatory
requirements including GR 1089, ITU K.20, K.21, and K.45, IEC 60950, UL 60950, and
TIA-968 (formerly known as FCC Part 68) without the need of series resistors.
* For surge ratings, see table below.
General Notes:
All measurements are made at an ambient temperature of 25 °C. I
PP
applies to -40 °C through +85 °C temperature range.
I
PP
is a repetitive surge rating and is guaranteed for the life of the product.
Listed
SIDACtor
devices are bi-directional. All electrical parameters and surge ratings apply to forward and reverse polarities.
V
DRM
is measured at I
DRM.
V
S
is measured at 100 V/μs.
Special voltage (V
S
and V
DRM
) and holding current (I
H
) requirements are available upon request.
Off-state capacitance is measured between Pins 1-2 and 3-2 at 1 MHz with a 2 V bias.
Device is designed to meet balance requirements of GTS 8700 and GR 974.
Electrical Parameters
Part
Number *
V
Volts
V
Volts
V
Volts
V
Volts
V
Volts
I
μAmps
I
mAmps
I
Amps
I
mAmps
C
O
pF
Pins 1-2, 2-3
Pins 1-3
P1553AC MC
130
180
130
180
8
5
800
2.2
150
40
P1803AC MC
150
210
150
210
8
5
800
2.2
150
40
P2103AC MC
170
250
170
250
8
5
800
2.2
150
40
P2353AC MC
200
270
200
270
8
5
800
2.2
150
40
P2703AC MC
230
300
230
300
8
5
800
2.2
150
30
P3203AC MC
270
350
270
350
8
5
800
2.2
150
30
P3403AC MC
300
400
300
400
8
5
800
2.2
150
30
P5103AC MC
420
600
420
600
8
5
800
2.2
150
30
Surge Ratings
Series
I
2x10 μs
Amps
I
8x20 μs
Amps
I
10x160 μs
Amps
I
10x560 μs
Amps
I
10x1000 μs
Amps
I
60 Hz
Amps
di/dt
Amps/μs
C
500
400
200
150
100
50
500
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P2600S SIDACtor Device
P2600SA SIDACtor Device
P2600SB SIDACtor Device
P2600SC SIDACtor Device
P2600SCMC solid state crowbar devices
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
P2600ECMCAP 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 500A 220V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600ECMCL 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 500A 220V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600ECMCLAP 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 500A 220V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600ECMCLRP1 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 500A 220V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
P2600ECMCLRP2 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 500A 220V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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