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參數(shù)資料
| 型號： | P0102XX |
| 英文描述： | MCU CMOS 40 LD 20MHZ 4K EPRM, 0C to +70C, 40-PDIP, TUBE |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | P0102XX |
P0102BL
3/5
Fig. 1:
Maximum average power dissipation
versus average on-state current.
Fig. 2:
Average and D.C. on-state current versus
ambient temperature.
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration.
Fig. 4:
Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature (typical values).
Fig. 5:
Relative variation of holding current
versus gate-cathode resistance (typical values).
Fig. 6:
Relative variation of dV/dt immunity
versus gate-cathode resistance (typical values).
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 0.18
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
P(W)
360 °
α
α
= 180 °
IT(av)(A)
0
25
50
75
100
125
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
IT(av)(A)
α
= 180°
D.C
Tamb(°C)
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
0.01
0.10
1.00
K=[Zth(j-a)/Rth(j-a)]
tp(s)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
2
3
4
5
6
IGT, IH, IL[Tj] / IGT, IH, IL[Tj = 25 °C]
IH & IL
(Rgk = 1k
)
IGT
Tj(°C)
IH[Rgk] / IH[Rgk = 1k ]
Rgk(k
)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
dV/dt[Rgk] / dV/dt[Rgk = 1k ]
Rgk(k
)
10.0
1.0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P0102BL | 0.25A SCRs |
| P0102BL5AA4 | 0.25A SCRs |
| P0102DN1AA3 | 0.8A SCRs |
| P0102DN2AL3 | 0.8A SCRs |
| P0102DN5AA4 | 0.8A SCRs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P0102YN5AA4 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:0.8A SCRs |
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| P0103 (ACADEMIC) | 制造商:Terasic 功能描述: |
| P010326 | 制造商:PUREGS 功能描述: |
| P0103B | 制造商:Apex Tool Group 功能描述:LINK,0103B |
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