參數(shù)資料
型號： P0102DN2AL3
廠商： 意法半導體
英文描述： 0.8A SCRs
中文描述： 0.8A可控硅
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： P0102DN2AL3
P0102BL
4/5
Fig. 7:
Relative variation of dV/dt immunity
versus gate-cathode capacitance (typical values).
Fig. 8:
Surge peak on-state current versus
number of cycles.
Fig. 9:
Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width
tp < 10ms, and corresponding value of I2t.
Fig. 10:
On-state characteristics (maximum
values).
Fig. 11:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under tab (Epoxy printed
circuit board FR4, copper thickness: 35
μ
m).
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
VTj = 125°C
Rgk = 1k
dV/dt[Cgk] / dV/dt [Rgk = 1k
]
Cgk(nF)
ITSM(A)
Number of cycles
1
0
1
2
3
4
5
6
7
10
100
1000
0.01
0.10
1.00
10.00
0.1
1.0
10.0
100.0
ITSM(A),I
2
t(A
2
s)
Tj initial = 25°C
ITSM
I
2
t
tp(ms)
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
ITM(A)
Tj max.:
Vto = 1.00 V
Rd = 1
Tj = Tj max.
Tj = 25°C
VTM(V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
100
200
300
400
500
Rth(j-a) (°C/W)
S (mm
2
)
相關PDF資料
PDF描述
P0102DN5AA4 0.8A SCRs
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