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PMXB360ENEAZ
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

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深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1215
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業(yè)執(zhí)照
20
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
367070
NEXPERIA
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業(yè)執(zhí)照
367070
NEXPERIA
con
24+
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北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
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聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
20
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

PMXB360ENEAZ
天陽誠業(yè)科貿有限公司
天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
367070
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con
24+
-

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深圳市百域芯科技有限公司
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聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強北都會軒4507
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
NEXPERIA/安世
SOT1215
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

PMXB360ENEAZ 存儲IC
深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-83795896
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室
資質：營業(yè)執(zhí)照
34000
NEXPERIA/安世
21+原廠授權
-
★原廠授權★價超代理★

PMXB360ENEAZ
深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質：營業(yè)執(zhí)照
13105
NEXPERIA/安世
NA
20+
-
進口原裝正品假一賠十

PMXB360ENEAZ
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NEXPERIA
原廠封裝
最新批號
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一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

PMXB360ENEAZ
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
DFN1010D-3
18+
-
MOSFET N-CH 80V 1.1A...

PMXB360ENEAZ
深圳市華芯源電子有限公司
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聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業(yè)執(zhí)照
100000
NEXPERIA/安世
SOT1215
23+22+
-
授權代理/原廠FAE技術支持

PMXB360ENEAZ
深圳市信通吉電子有限公司
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聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20
38000
Nexpe原裝正品
SOT1215
19+
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

PMXB360ENEAZ
深圳市企諾德電子有限公司
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聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質：營業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PMXB360ENEA/DFN1010D-3/REEL90DEGREET// - Tape and Reel

PMXB360ENEAZ 技術參數(shù)

PMXB360ENEA 功能描述:MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.1A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:130pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 1.1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMXB350UPE 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:116pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），5.68W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:447 毫歐 @ 1.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMXB120EPE 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:309pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.3W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.4A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMWD30UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1478pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMWD26UN,518 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1366pF @ 16V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-TSSOP 標準包裝:1 PMXB75UPEZ PM-Y44 PM-Y44-C3 PM-Y44P PM-Y44P-C3 PM-Y45 PM-Y45-C3 PM-Y45-P PM-Y45-P-C3 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL