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PMXB65UPEZ
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Nexperia
N/A
24+
-
瑞智芯只做原裝上傳有貨

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深圳市晶美隆科技有限公司
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聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15370
NXP/恩智浦
SOD68
23+
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全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

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深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1215
2021+
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★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PMXB65UPEZ
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2091
NEXPERIA
con
24+
-
場效應(yīng)管

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深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
367599
NEXPERIA
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
367599
NEXPERIA
con
24+
-

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北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2091
NEXPERIA
con
24+
-
場效應(yīng)管

PMXB65UPEZ
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
367599
NEXPERIA
con
24+
-

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深圳市華盛錦科技有限公司
深圳市華盛錦科技有限公司
聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
36890
NXP/原裝現(xiàn)貨
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21+原廠授權(quán)
-
★原廠授權(quán)★價超代理★

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北京耐芯威科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
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百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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深圳市眾芯微電子有限公司
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聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
DFN1010D-3
18+
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MOSFET P-CH 12V 3.2A...

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深圳市百潤電子有限公司
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聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
400
NEXPERIA
SOD68
23+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

PMXB65UPEZ
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
24850
NXP SEMIC
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

PMXB65UPEZ
深圳市華芯源電子有限公司
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聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
150000
NEXPERIA/安世
SOT1215
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

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深圳市信通吉電子有限公司
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聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20
38000
Nexpe原裝正品
SOT1215
19+
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香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

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功能描述
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
P 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
3.2A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
634pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
317mW（Ta），8.33W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
72 毫歐 @ 3.2A，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
DFN1010D-3
封裝/外殼
3-XDFN 裸露焊盤
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PMXB65UPEZ 技術(shù)參數(shù)

PMXB65ENE 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:295pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB56ENZ 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB56EN 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB43UNE 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:551pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:54 毫歐 @ 3.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMXB40UNE 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:556pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 3.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PM-Y54 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL PMZ200UNEYL PMZ250UN,315 PMZ270XN,315 PMZ290UNE2YL PMZ290UNEYL PMZ290UNYL PMZ320UPEYL PMZ350UPEYL PMZ350XN,315