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PMV185XN,215

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMV185XN,215
    PMV185XN,215

    PMV185XN,215

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 18340

  • NXP

  • SOT23

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • PMV185XN,215
    PMV185XN,215

    PMV185XN,215

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • TY/臺灣半導(dǎo)體

  • SOT23-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • PMV185XN,215
    PMV185XN,215

    PMV185XN,215

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT23-3

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • PMV185XN,215
    PMV185XN,215

    PMV185XN,215

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17841084408

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 3500

  • 原裝正品

  • SOT-23

  • 2019+

  • -
  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • PMV185XN,215
    PMV185XN,215

    PMV185XN,215

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨,代找緊缺料

  • PMV185XN,215
    PMV185XN,215

    PMV185XN,215

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • NXP

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
  • 1
PMV185XN,215 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
  • 制造商
  • nxp semiconductors
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 1.1A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 250 毫歐 @ 1.1A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 1.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 76pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 325mW
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-236AB(SOT23)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
PMV185XN,215 技術(shù)參數(shù)
  • PMV170UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):83pF @ 10V 功率 - 最大值:325mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV16XNR 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.8A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):20.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1240pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):510mW(Ta), 6.94W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 6.8A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV16UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):670pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV160UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.2A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):365pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):335mW(Ta),2.17W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 1.2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV130ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 40V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.1A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):170pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMV230ENEAR PMV2-35RB-3K PMV2-3FB-3K PMV2-3FB-C PMV2-3RB-3K PMV2-3RB-C PMV2-3RB-X PMV2-4FB-3K PMV2-4FB-C PMV2-4RB-3K PMV2-4RB-C PMV2-4RB-X PMV250EPEAR PMV25ENEAR PMV2-5FB-3K PMV2-5FB-C PMV2-5RB-3K PMV2-5RB-C
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