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PMV30UN2VL

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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

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  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

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    PMV30UN2VL

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367560

  • NEXPERIA

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  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

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  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

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  • 38000

  • Nexpe原裝正品

  • SOT23

  • 19+

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  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

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PMV30UN2VL 技術參數(shù)
  • PMV30UN2R 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:655pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 4.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV30UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標準包裝:1 PMV28UNEAR 功能描述:MOSFET N-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.7A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:490pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 3.9W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 4.7A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV28UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 3.3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 270μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:470pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 標準包裝:1 PMV27UPER 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 4.15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 4.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV40UN2R PMV4248GY PMV42ENER PMV450ENEAR PMV45EN,215 PMV45EN2R PMV45EN2VL PMV48XP,215 PMV48XP/MIR PMV48XPAR PMV48XPVL PMV50ENEAR PMV50EPEAR PMV50UPE,215 PMV50UPEVL PMV50XPR PMV55ENEAR PMV56XN,215
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