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PMV1-3RB-XY

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  • PMV1-3RB-XY
    PMV1-3RB-XY

    PMV1-3RB-XY

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品,

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
PMV1-3RB-XY PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated
  • RoHS
  • 制造商
  • AVX
  • 產品
  • Junction Box - Wire to Wire
  • 系列
  • 9826
  • 線規(guī)
  • 26-18
  • 接線柱/接頭大小
  • 絕緣
  • 顏色
  • Red
  • 型式
  • Female
  • 觸點電鍍
  • Tin over Nickel
  • 觸點材料
  • Beryllium Copper, Phosphor Bronze
  • 端接類型
  • Crimp
PMV1-3RB-XY 技術參數(shù)
  • PMV130ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 40V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.1A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):170pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460mW(Ta), 5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV120ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.1A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):275pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):513mW(Ta), 6.4W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):123 毫歐 @ 2.1A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV117EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):117 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):147pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 PMV100XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):386pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):463mW(Ta), 1.9W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):128 毫歐 @ 2.4A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV100ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 30V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):460mW(Ta), 4.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):72 毫歐 @ 3A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV1-6FB-CY PMV1-6RB-CY PMV1-6RB-XY PMV16UN,215 PMV16XNR PMV170UN,215 PMV185XN,215 PMV1-P10-CY PMV1-P12B-3K PMV2024GY PMV20ENR PMV20XN,215 PMV20XNEAR PMV20XNER PMV213SN,215 PMV22EN,215 PMV230ENEAR PMV2-35RB-3K
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