PH3134-9L

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PH3134-9L
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

PH3134-9L
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號(hào)深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1567
M/A-COM
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

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功能描述
射頻雙極電源晶體管
RoHS
否
制造商
M/A-COM Technology Solutions
配置
Single
直流集電極/Base Gain hfe Min
40
最大工作頻率
30 MHz
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
25 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
4 V
集電極連續(xù)電流
20 A
最大直流電集電極電流
功率耗散
250 W
封裝 / 箱體
Case 211-11
封裝
Tray

PH3134-9L 技術(shù)參數(shù)

PH3134-75S 功能描述:TRANSISTOR 75W 1US 10% 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:- 增益:7.5dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8.9A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6 PH3134-55L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 3.10-3.40GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:- 增益:7.5dB 功率 - 最大值:55W 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6.5A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6 PH3134-30S 功能描述:TRANSISTOR 30W 3.10-3.40GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:- 增益:7.5dB 功率 - 最大值:30W 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3.6A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6 PH3134-11S 功能描述:TRANSISTOR 11W 36V 3.10-3.40GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:11W 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.3A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6 PH3120L,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:48.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4457pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.65 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH-31-W PH-31-Y PH3-222-165-0.21-1A PH3230S,115 PH3-300-300-0.21-1A PH3330L,115 PH3343L PH3343P PH3344K PH3344O PH3355 PH3430AL,115 PH35 PH3-50.8-12.7-0.21-1A PH362 PH3-76.2-12.7-0.21-1A PH3-76.2-19.1-0.21-1A PH3-76.2-25.4-0.21-1A